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突破氮化镓技术,国企康佳走在核心技术自主创新前列

2020-03-04 11:23:42 财讯网

中国企业在“缺芯少屏”的困境中已经挣扎了几十年。这几十年来,我们的半导体核心技术严重依赖国外,中国科技企业的命脉拿捏在别人手中。如今,第三代半导体材料氮化镓及其相关技术的问世,给我们带来了千载难逢的翻身机会,要打破国际技术封锁,牢牢把握自己的命运,中国科技企业发展半导体业务势在必行。需要冷静看待的是,半导体的大门并不是能被轻易叩开的,中国企业入局半导体战场并不容易。

门槛高难度大,氮化镓半导体业务入局难

近几年,半导体领域迎来新一轮材料技术革命,第三代半导体材料氮化镓凭借自身优越的性能,备受国际半导体高端玩家的关注,甚至成为新一代芯片领域的必争高地。

但半导体技术门槛极高。与其他电子及制造领域相关材料相比,半导体材料不仅纯度要求高、工艺极其复杂,而且在研发过程中需要下游对应产线进行批量测试,这就要求企业必须有能力构建下游生态。不仅如此,半导体技术对应芯片制造过程的不同,下游厂商对材料使用需求的不同,导致对应材料的参数也有所差异,整个产业链必须具有高度的协同性和成熟的技术能力,才能稳妥开展半导体技术研发。

作为当下半导体关键技术的氮化镓,则有着更加巨大的研发难度。技术上,宽禁带功率半导体面临着衬底材料的完整性、工艺稳定性等诸多技术难题;生态环境假设上,国内产业生态成熟度与国外仍然存在差距,产业链上下游协同不足,这就导致氮化镓难以顺利完成“能用 -可用-好用”的发展过程。

考虑到氮化镓半导体技术的高门槛、高难度,只有具备雄厚的资金实力、深厚的技术沉淀以及强大的人才团队的企业,才有能力叩开半导体业务的大门,在这些实力卓然的企业中,国企尤其被寄予厚望。

国企身担众望,康佳技术先行

目前来看,中国科技领域的实力派国企确实在半导体领域蠢蠢欲动,其中,康佳频频出招,逐渐显露出优秀的示范性。

回顾康佳40年的发展历程,我们能够明显看到它身为国企,在主动担当责任、发挥带头示范作用方面的努力。为了冲破国内“缺芯少屏”的困境,康佳从提升自身技术创新实力出发,在4K、8K、AI等技术领域不断突破,全力解决“卡脖子”的自主技术短板。在当下这轮氮化镓半导体竞争中,拥有全方面实力的康佳被业内认为是中国攻克氮化镓技术的希望之一。

业界对康佳的信任,我们可以从这样几个层面找到依据:资金层面,康佳集团自1980年成立以来,在40年的发展中形成了多产业协同发展的格局,积累了雄厚的资金,加之大股东华侨城的支持,“粮仓”丰盈,足以支撑起开展半导体研究;科研与技术层面,康佳的半导体核心技术团队成员普遍具有斯坦福大学、复旦大学、中国科学技术大学、台湾清华大学等教育背景及丰富的行业经验,且在科研领域频频获奖,近年,康佳拿到了国家科学技术进步奖、中国轻工业联合会科学技术进步奖、入选广东省重点领域研发计划等一众高金奖项,技术沉淀相当深厚;平台环境层面,于去年建立重庆康佳光电研究院,开展MicroLED产品为代表的氮化镓等化合物半导体技术与应用研发,目前研究院紧扣氮化镓半导体器件在光电、功率、通信等三个主要应用方向,进行了相关布局,建立了以GaN LED为主要对象的研究平台环境。

在多重实力的加持下,康佳的半导体研究从未令人失望。

成果惊艳问世,国企离领先光电市场还有多远?

去年10月,康佳APHAEA 未来屏SmartWall惊艳发布,这是康佳首款Micro LED产品,它最大的亮点在于应用了超精度巨量转移技术,把近1亿颗微级别的Micro LED芯片从独立的氮化镓和蓝宝石衬底转移到基板之上,为屏幕在色域、清晰度、亮度、对比度等方面的表现带来质的迁跃。这意味着我国已经掌握了氮化镓技术在大屏应用上的关键技术,Micro LED正在冲破国际技术封锁,半导体产业发展势头持续向上。

近日,重庆康佳半导体光电研究院再传来好消息,其自主研发的 Micro LED 显示屏以及 Micro LED 发光芯片已在实验室成功点亮,其中蓝色与绿色 Micro LED 发光芯片的材料为即氮化镓。康佳正在带领我国半导体产业以氮化镓芯片为突破口,争夺新一代半导体技术的主动权。

康佳在氮化镓技术的突破,无疑正在大幅提升中国企业在国际光电市场的领先性。我们可以大胆设想一下,一旦康佳完全掌握了氮化镓技术,不仅我国半导体芯片有望实现自给自足,彻底摆脱国际技术垄断,而且将拥有国际半导体市场的话语权,甚至一改被动局面,实现氮化镓技术输出。

诚然,这条路十分艰苦。国企当自强,以康佳为代表的一众中国科技企业正在迎着第三代半导体材料革命的势潮,主动担当,有所作为,在核心技术争夺战中奋勇向前。随着诸多成果的问世,我们有理由相信,中国将在不久之后的未来成为半导体科技领域举足轻重的角色。

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